上一年9月，网上遽然热传我国将建“光刻厂”，以应对美国联手荷兰对我国禁售EUV光刻机。其时，我连写了三篇文章来给咱们浇冷水。
现在，咱们心念念的“光刻厂”真的进入联调预备放出榜首束光，却没有人关怀这事了！
7月1日新华社音讯，国家严重科学技能基础设施高能同步辐射光源（HEPS）的贮存环完满意环真空闭环，标志着贮存环全环贯穿，进入联调阶段。
高能同步辐射光源贮存环束流轨迹周长约1360.4米，用于贮存高能高品质电子束，一起产生同步辐射光，是世界上第三大光源加快器、国内榜首大加快器。
我此前说这个SSMB不是光刻厂，那是由于它是一个产生光源的巨型设备，现在咱们还仅处于对电子进行加快是能够产生高能光源的验证阶段。
从原理上来看，产生极紫外光有3种方法，分别是同步辐射、电子放电产生等离子体、激光驱动产生等离子体。依据这三种原理，现在EUV光源有四种或许的完成形式——激光等离子体、同步辐射、超导加快-高功率自由电子激光器以及稳态微聚束（SSMB）。
现在ASML的极紫外光光刻机，所用光源是德国通快（TRUMPF）的产品，全世界仅它一家能够制作这这种光源。
通快的光源产生原理正是激光驱动产生等离子体，通快的计划叫做“锡滴炮击法”，简略来说是：
1.先熔化纯锡，然后将它们用特制的喷嘴喷出，构成每个锡滴直径严控为27微米的锡雾。2.接着用二氧化碳激光照耀锡雾，像打靶相同把每一个锡滴都压成饼状，此刻立马用另一束激光照耀这个锡饼，锡饼就会开端宣布波长10~100nm的光。3.接着用反射镜将锡饼发射的光反射出去，运用光学手法筛选出其间13.5nm的极紫外光，并投射到晶圆上，开端光刻。
通快在在EUV 光刻激光产生体系上投入超越 15 年，2005年与美国 Cymer 公司开端协作，并在 2013 年 ASML 收买 Cymer 公司后持续协作。尔后，通快成立了一个子公司，通快半导体制作激光体系公司，专门担任开发和出产 EUV 激光器。
令人遗憾的是，我国到现在为止还没有可行的极紫外光产生器。前些年国内报导《我国成功研制世界上最亮的极紫外光源》，但这个光源却无法用于光刻机上。
最终，我国虽然在EUV光刻机范畴输在起跑线上，但咱们现在采纳多路并进的研制形式，各种技能道路都在进行测验，横竖老练工艺已能满意大部分需求，时刻在咱们这一边，总有一天咱们会获得打破，打破欧美的独占。
